DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 8180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.62 грн |
| 20000+ | 2.50 грн |
| 30000+ | 2.40 грн |
| 50000+ | 2.16 грн |
| 250000+ | 2.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMN2450UFB4-7B за ціною від 2.19 грн до 18.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2450UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V |
на замовлення 8181303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2450UFB4-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K |
на замовлення 22341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2450UFB4-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin X2-DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN2450UFB4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 900mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.9W Case: X2-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN2450UFB4-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 900mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.9W Case: X2-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC |
товару немає в наявності |