Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2450UFB4-7B
DMN2450UFB4-7B

DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated

DMN2450UFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 8180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.52 грн
20000+2.40 грн
30000+2.31 грн
50000+2.08 грн
250000+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2450UFB4-7B за ціною від 2.39 грн до 23.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2450UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 8181303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.34 грн
36+8.47 грн
100+4.26 грн
500+3.92 грн
1000+3.47 грн
2000+3.43 грн
5000+3.04 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567297_1-2542707.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 16049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.62 грн
22+15.77 грн
100+5.37 грн
1000+3.41 грн
2500+3.12 грн
10000+2.47 грн
20000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4-7B Виробник : Diodes Inc 693dmn2450ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2450UFB4.pdf DMN2450UFB4-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.