Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2450UFB4-7B
DMN2450UFB4-7B

DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated

DMN2450UFB4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 5503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.41 грн
31+10.06 грн
100+6.26 грн
500+4.31 грн
1000+3.81 грн
2000+3.38 грн
5000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2450UFB4-7B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2450UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2450UFB4.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4.pdf
DMN2450UFB4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7B DMN2450UFB4.pdf
DMN2450UFB4-7B
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.