Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2450UFB4-7R
DMN2450UFB4-7R

DMN2450UFB4-7R Diodes Incorporated

DMN2450UFB4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2450UFB4-7R Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2450UFB4-7R за ціною від 2.47 грн до 23.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2450UFB4-7R DMN2450UFB4-7R Виробник : Diodes Incorporated DMN2450UFB4.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.05 грн
29+10.66 грн
100+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7R DMN2450UFB4-7R Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004567297_1-2542707.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.62 грн
22+15.77 грн
100+5.59 грн
1000+3.92 грн
3000+3.34 грн
9000+2.83 грн
24000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7R Виробник : Diodes Inc 693dmn2450ufb4.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 1A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFB4-7R Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2450UFB4.pdf DMN2450UFB4-7R SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.