DMN2450UFB4-7R Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2450UFB4-7R Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMN2450UFB4-7R за ціною від 2.57 грн до 24.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2450UFB4-7R | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 16 V |
на замовлення 7448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2450UFB4-7R | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 3K |
на замовлення 9999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2450UFB4-7R | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 1A T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN2450UFB4-7R | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 900mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.9W Case: X2-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN2450UFB4-7R | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 900mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.9W Case: X2-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.3nC |
товару немає в наявності |