Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2450UFD-7
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7 Diodes Incorporated

DMN2450UFD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
на замовлення 5214000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.52 грн
6000+3.92 грн
9000+3.70 грн
15000+3.23 грн
21000+3.09 грн
30000+2.96 грн
75000+2.62 грн
150000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2450UFD-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2450UFD-7 за ціною від 3.38 грн до 23.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2450UFD-7 DMN2450UFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2450UFD.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
на замовлення 5216747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.41 грн
25+13.11 грн
100+8.23 грн
500+5.70 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7 DMN2450UFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2450UFD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 62689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.90 грн
26+13.94 грн
100+5.98 грн
500+5.45 грн
1000+4.99 грн
3000+3.53 грн
6000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7 DMN2450UFD-7 Виробник : Diodes Inc dmn2450ufd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2450UFD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 3A; 890mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.89W
Case: X1-DFN1212-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.