Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2450UFD-7
DMN2450UFD-7

DMN2450UFD-7 Diodes Incorporated

DMN2450UFD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
на замовлення 5214000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.33 грн
6000+3.76 грн
9000+3.54 грн
15000+3.10 грн
21000+2.97 грн
30000+2.84 грн
75000+2.51 грн
150000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2450UFD-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1212-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2450UFD-7 за ціною від 3.16 грн до 25.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2450UFD-7 DMN2450UFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2450UFD.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1212-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
на замовлення 5216747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
25+12.57 грн
100+7.89 грн
500+5.46 грн
1000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7 DMN2450UFD-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006154551_1-2542744.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 29806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.58 грн
20+17.68 грн
100+6.33 грн
1000+4.63 грн
3000+3.75 грн
9000+3.24 грн
24000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7 DMN2450UFD-7 Виробник : Diodes Inc dmn2450ufd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.9A 3-Pin X1-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2450UFD-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2450UFD.pdf DMN2450UFD-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.