Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2451UFB4Q-7B
DMN2451UFB4Q-7B

DMN2451UFB4Q-7B Diodes Incorporated

DMN2451UFB4Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.60 грн
20000+2.22 грн
30000+2.15 грн
50000+1.90 грн
70000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2451UFB4Q-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2451UFB4Q-7B за ціною від 2.58 грн до 17.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2451UFB4Q-7B DMN2451UFB4Q-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2451UFB4Q.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.44 грн
34+9.42 грн
100+5.84 грн
500+4.01 грн
1000+3.48 грн
2000+3.13 грн
5000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4Q-7B DMN2451UFB4Q-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2451UFB4Q.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 7756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.56 грн
34+10.49 грн
100+5.62 грн
500+4.10 грн
1000+3.27 грн
5000+2.96 грн
10000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFB4Q-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2451UFB4Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 3A; 1.1W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 1.1W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.4nC
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.