DMN2451UFB4Q-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 2.60 грн |
20000+ | 2.22 грн |
30000+ | 2.15 грн |
50000+ | 1.90 грн |
70000+ | 1.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2451UFB4Q-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2451UFB4Q-7B за ціною від 2.58 грн до 17.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN2451UFB4Q-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 74652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMN2451UFB4Q-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 7756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DMN2451UFB4Q-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.3A; Idm: 3A; 1.1W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 1.1W Case: X2-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 6.4nC Version: ESD |
товару немає в наявності |