DMN2451UFDQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2331000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.35 грн |
| 6000+ | 5.53 грн |
| 9000+ | 5.23 грн |
| 15000+ | 4.59 грн |
| 21000+ | 4.41 грн |
| 30000+ | 4.22 грн |
| 75000+ | 3.76 грн |
| 150000+ | 3.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2451UFDQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN2451UFDQ-7 за ціною від 4.00 грн до 29.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2451UFDQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2332847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2451UFDQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2451UFDQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X1-DFN1212-3 T&R 3K |
на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2451UFDQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS: 8V24V X1-DFN1212-3 T&R 3K |
товару немає в наявності |