Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2451UFDQ-7
DMN2451UFDQ-7

DMN2451UFDQ-7 Diodes Incorporated

DMN2451UFDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2331000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.19 грн
6000+5.39 грн
9000+5.10 грн
15000+4.47 грн
21000+4.29 грн
30000+4.12 грн
75000+3.67 грн
150000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2451UFDQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2451UFDQ-7 за ціною від 6.65 грн до 28.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2451UFDQ-7 DMN2451UFDQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2451UFDQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN1212-3 (Type C)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2332847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
19+17.01 грн
100+10.72 грн
500+7.48 грн
1000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFDQ-7 Виробник : Diodes Inc DMN2451UFDQ.pdf MOSFET BVDSS: 8V24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2451UFDQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2451UFDQ-3103572.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1212-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.