DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated


DMN24H11DS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 279000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.31 грн
6000+8.85 грн
9000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN24H11DS-7 за ціною від 12.48 грн до 51.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated DMN24H11DS.pdf Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 280248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.14 грн
10+30.30 грн
100+19.48 грн
500+13.89 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated DMN24H11DS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 63014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 76.8 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 280248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.14 грн
10+30.30 грн
100+19.48 грн
500+13.89 грн
1000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN24H11DS-7 DMN24H11DS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V
на замовлення 63014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.