Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2550UFA-7B
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated

DMN2550UFA.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
на замовлення 8179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.75 грн
23+13.29 грн
100+8.37 грн
500+5.82 грн
1000+5.15 грн
2000+4.60 грн
5000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2550UFA-7B за ціною від 3.63 грн до 23.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2550UFA-7B DMN2550UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2550UFA.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
на замовлення 17242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.75 грн
23+14.11 грн
100+7.74 грн
500+5.79 грн
1000+4.53 грн
5000+3.90 грн
10000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7B DMN2550UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2550UFA.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2550UFA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.36W
Case: X2-DFN0806-3
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 880pC
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.