Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2550UFA-7B
DMN2550UFA-7B

DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated

DMN2550UFA.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.96 грн
20000+3.51 грн
30000+3.36 грн
50000+2.99 грн
70000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2550UFA-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0806-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2550UFA-7B за ціною від 3.38 грн до 22.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2550UFA-7B DMN2550UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2550UFA.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 600MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.88 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52.5 pF @ 16 V
на замовлення 279435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.43 грн
29+11.35 грн
100+7.60 грн
500+5.47 грн
1000+4.91 грн
2000+4.44 грн
5000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7B DMN2550UFA-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2550UFA.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET 8 VGS 52.5pF 0.88nC
на замовлення 18262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.29 грн
26+13.85 грн
100+5.52 грн
500+4.76 грн
1000+4.37 грн
5000+4.30 грн
10000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2550UFA-7B DMN2550UFA-7B Виробник : Diodes Inc dmn2550ufa.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.