на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4399+ | 2.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2600UFB-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540mW, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2600UFB-7 за ціною від 2.29 грн до 28.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2600UFB-7 | Виробник : DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2600UFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V |
на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2600UFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V X1-DFN1006-3 T&R 3K |
на замовлення 104743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2600UFB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2600UFB-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1.3 A, 0.35 ohm, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2600UFB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.85 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70.13 pF @ 15 V |
на замовлення 387699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2600UFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2600UFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2600UFB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN2600UFB-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN2600UFB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 900mA; Idm: 3A; 540mW Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 0.85nC On-state resistance: 0.6Ω Power dissipation: 0.54W Drain current: 0.9A Pulsed drain current: 3A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 25V Case: X1-DFN1006-3 Kind of package: 7 inch reel; tape |
товару немає в наявності |