DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.80 грн |
| 6000+ | 2.55 грн |
| 9000+ | 2.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN26D0UT-7 за ціною від 4.23 грн до 17.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V |
на замовлення 2229584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
DMN26D0UT-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW |
на замовлення 25897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN26D0UT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.1 pF @ 15 V
на замовлення 2229584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.05 грн |
| 39+ | 7.76 грн |
| 100+ | 4.23 грн |
| DMN26D0UT-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
на замовлення 25897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)