Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN26D0UT-7
DMN26D0UT-7

DMN26D0UT-7 DIODES INCORPORATED

DMN26D0UT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.23A; 0.3W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.78 грн
33+12.71 грн
39+10.81 грн
60+6.92 грн
100+5.53 грн
326+2.90 грн
896+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 25 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN26D0UT-7 DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 230mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMN26D0UT-7 за ціною від 7.90 грн до 25.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN26D0UT-7 DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated ds31854.pdf MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
на замовлення 38990 шт:
термін постачання 311-320 дні (днів)
12+25.68 грн
21+14.30 грн
100+9.65 грн
500+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7 DMN26D0UT-7 DIODES INC. ds31854.pdf Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7 DMN26D0UT-7 DIODES INC. ds31854.pdf Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7 ds31854.pdf
DMN26D0UT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch -20V VDSS 230mA 300mW
на замовлення 38990 шт:
термін постачання 311-320 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+25.68 грн
21+14.30 грн
100+9.65 грн
500+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7 ds31854.pdf
DMN26D0UT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7 ds31854.pdf
DMN26D0UT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN26D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 230 mA, 1.8 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.