Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2710UFBQ-7
DMN2710UFBQ-7

DMN2710UFBQ-7 Diodes Incorporated

DMN2710UFBQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.11 грн
20+15.54 грн
100+9.76 грн
500+6.80 грн
1000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UFBQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 720mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2710UFBQ-7 за ціною від 4.08 грн до 26.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2710UFBQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2710UFBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UFBQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UFB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.09 грн
21+15.61 грн
100+8.51 грн
500+6.33 грн
1000+5.56 грн
3000+4.92 грн
6000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UFBQ-7 DMN2710UFBQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UFBQ-7 DMN2710UFB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.09 грн
21+15.61 грн
100+8.51 грн
500+6.33 грн
1000+5.56 грн
3000+4.92 грн
6000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.