Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2710UFBQ-7
DMN2710UFBQ-7

DMN2710UFBQ-7 Diodes Incorporated

DMN2710UFBQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.86 грн
6000+5.07 грн
9000+4.77 грн
15000+4.17 грн
21000+3.99 грн
30000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UFBQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 720mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2710UFBQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2710UFBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UFB-3002956.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1006-3 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.