Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2710UT-13
DMN2710UT-13

DMN2710UT-13 Diodes Incorporated

DMN2710UT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UT-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2710UT-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2710UT-13 Diodes Incorporated DMN2710UT.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-13 DIODES INCORPORATED DMN2710UT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 870mA; 520mW; SOT523
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 870mA
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-13 DMN2710UT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-13 DMN2710UT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 870mA; 520mW; SOT523
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 870mA
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.