DMN2710UTQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.32 грн |
| 6000+ | 4.62 грн |
| 9000+ | 4.37 грн |
| 15000+ | 3.83 грн |
| 21000+ | 3.67 грн |
| 30000+ | 3.52 грн |
| 75000+ | 3.13 грн |
| 150000+ | 3.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2710UTQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 870mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520mW, Bauform - Transistor: SOT-523, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN2710UTQ-7 за ціною від 3.91 грн до 29.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2710UTQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2710UTQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 198691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2710UTQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT523 T&R 3K |
на замовлення 39536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2710UTQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 520mW Bauform - Transistor: SOT-523 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN2710UTQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 870mA; 320mW; automotive industry; SMT Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Electrical mounting: SMT Technology: MOSFET Gate charge: 0.6nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Power dissipation: 0.32W On-state resistance: 0.45Ω Drain current: 870mA Gate-source voltage: 6V Drain-source voltage: 20V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| DMN2710UTQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товару немає в наявності |