Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2710UV-7
DMN2710UV-7

DMN2710UV-7 Diodes Incorporated

DMN2710UV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.05 грн
6000+2.62 грн
9000+2.30 грн
15000+2.13 грн
21000+2.12 грн
30000+2.01 грн
75000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN2710UV-7 за ціною від 2.05 грн до 17.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2710UV-7 DMN2710UV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 127195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.63 грн
31+10.14 грн
100+4.16 грн
500+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UV-3103565.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
на замовлення 3217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.85 грн
31+10.95 грн
100+3.88 грн
1000+3.51 грн
3000+3.22 грн
9000+2.20 грн
24000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UV-7 Виробник : Diodes Inc dmn2710uv.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.