Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2710UVQ-13
DMN2710UVQ-13

DMN2710UVQ-13 Diodes Incorporated

DMN2710UVQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.82 грн
20000+3.36 грн
30000+3.19 грн
50000+2.82 грн
70000+2.72 грн
100000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UVQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2710UVQ-13 за ціною від 3.87 грн до 22.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2710UVQ-13 DMN2710UVQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UVQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 159257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.41 грн
25+13.27 грн
100+8.30 грн
500+5.75 грн
1000+5.09 грн
2000+4.54 грн
5000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UVQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UVQ-3103573.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.