Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2710UVQ-7
DMN2710UVQ-7

DMN2710UVQ-7 Diodes Incorporated

DMN2710UVQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.32 грн
9000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UVQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2710UVQ-7 за ціною від 8.80 грн до 25.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN2710UVQ-7 DMN2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UVQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+14.96 грн
25+12.38 грн
50+10.09 грн
100+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UVQ-7 DMN2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMN2710UVQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UVQ-7 DMN2710UVQ.pdf
DMN2710UVQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.92A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 920mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.63 грн
20+14.96 грн
25+12.38 грн
50+10.09 грн
100+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UVQ-7 DMN2710UVQ.pdf
DMN2710UVQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.