DMN2710UW-7

DMN2710UW-7 Diodes Incorporated


DMN2710UW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
на замовлення 141000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.94 грн
6000+2.73 грн
9000+2.64 грн
15000+2.32 грн
21000+2.31 грн
30000+2.05 грн
75000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2710UW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 470mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2710UW-7 за ціною від 2.58 грн до 18.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2710UW-7 DMN2710UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
на замовлення 142757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.27 грн
32+10.13 грн
100+4.91 грн
500+3.87 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UW-7 DMN2710UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2710UW-3084776.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T and R 3K
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+18.36 грн
32+11.28 грн
100+4.64 грн
500+3.88 грн
1000+3.65 грн
3000+3.50 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.