DMN2990UFA-7B DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2990UFA-7B DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 510mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0806, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN2990UFA-7B за ціною від 8.17 грн до 44.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2990UFA-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2990UFA-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 510 mA, 0.6 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 510mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: X2-DFN0806 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2990UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V |
на замовлення 10145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN2990UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K |
на замовлення 17284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN2990UFA-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6 pF @ 16 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DMN2990UFA-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.33A; 0.4W; X2-DFN0806-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.4W Case: X2-DFN0806-3 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain current: 0.33A On-state resistance: 2.4Ω Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Version: ESD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |