Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2990UFB-7B
DMN2990UFB-7B

DMN2990UFB-7B Diodes Incorporated

DMN2990UFB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250A
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.21 грн
20000+2.94 грн
30000+2.90 грн
50000+2.59 грн
70000+2.54 грн
100000+2.39 грн
250000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2990UFB-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 520mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250A, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN2990UFB-7B за ціною від 3.33 грн до 33.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2990UFB-7B DMN2990UFB-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2990UFB.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250A
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2199450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.48 грн
29+10.73 грн
100+4.85 грн
500+4.44 грн
1000+3.91 грн
2000+3.65 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFB-7B Виробник : Diodes Incorporated diodes_inc_diod-s-a0006646681-1-1749068.pdf MOSFET MOSFET
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.02 грн
13+26.70 грн
100+12.34 грн
500+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFB-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2990UFB.pdf DMN2990UFB-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.