Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2990UFZ-7B
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated

DMN2990UFZ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.2 pF @ 16 V
на замовлення 1640000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.27 грн
30000+6.55 грн
50000+5.87 грн
100000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2990UFZ-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0606-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.2 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2990UFZ-7B за ціною від 5.93 грн до 38.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2990UFZ-7B DMN2990UFZ-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2990UFZ.pdf MOSFETs 20V N-Ch Enh FET Dual .25A .32W 389pF
на замовлення 10158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.20 грн
21+16.75 грн
100+6.74 грн
1000+6.37 грн
2500+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFZ-7B DMN2990UFZ-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2990UFZ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 250MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.2 pF @ 16 V
на замовлення 1650325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.01 грн
12+27.53 грн
100+17.16 грн
500+11.02 грн
1000+8.47 грн
2000+7.63 грн
5000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFZ-7B DMN2990UFZ-7B Виробник : Diodes Inc 1020dmn2990ufz.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.25A 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFZ-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2990UFZ.pdf DMN2990UFZ-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.