DMN2991UDR4-7

DMN2991UDR4-7 Diodes Incorporated


DMN2991UDR4.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC)
на замовлення 100000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+3.03 грн
10000+2.28 грн
15000+2.24 грн
25000+2.07 грн
35000+1.86 грн
50000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2991UDR4-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 380mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC).

Інші пропозиції DMN2991UDR4-7 за ціною від 3.31 грн до 16.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2991UDR4-7 DMN2991UDR4-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN2991UDR4.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC)
на замовлення 102159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.48 грн
31+9.90 грн
100+6.15 грн
500+4.23 грн
1000+3.64 грн
2000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.