DMN2991UDR4-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.99 грн |
| 28+ | 10.97 грн |
| 34+ | 9.05 грн |
| 50+ | 7.36 грн |
| 100+ | 6.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2991UDR4-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 380mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC).
Інші пропозиції DMN2991UDR4-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN2991UDR4-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1010-6 T&R 5K |
на замовлення 5680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN2991UDR4-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1010-6 T&R 5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1010-6 T&R 5K
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)