Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2991UFO-7B

DMN2991UFO-7B Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0604-3 T&R 10K

на замовлення 7072 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMN2991UFO-7B Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440mW, Bauform - Transistor: X2-DFN0604, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN2991UFO-7B

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	DMN2991UFO-7B	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 8575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн.
	DMN2991UFO-7B	DIODES INC.	Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 440mW Bauform - Transistor: X2-DFN0604 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)	на замовлення 8575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн.

DMN2991UFO-7B

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2991UFO-7B - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.5 ohm, X2-DFN0604, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0604
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 8575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMN2991UFO-7B

на замовлення 8575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.