DMN2991UFZ-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 16 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.34 грн |
| 21+ | 14.64 грн |
| 100+ | 7.03 грн |
| 500+ | 5.53 грн |
| 1000+ | 4.91 грн |
| 2000+ | 4.57 грн |
| 5000+ | 4.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
13 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN2991UFZ-7B Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN0606-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 16 V.
Інші пропозиції DMN2991UFZ-7B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN2991UFZ-7B | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 530mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0606-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 16 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN2991UFZ-7B |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 550MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5 pF @ 16 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.