Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN2992UFB4-7B
DMN2992UFB4-7B

DMN2992UFB4-7B Diodes Incorporated

DMN2992UFB4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V
на замовлення 8380000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.34 грн
20000+2.04 грн
30000+1.93 грн
50000+1.70 грн
70000+1.63 грн
100000+1.56 грн
250000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN2992UFB4-7B Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: X2-DFN1006-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V.

Інші пропозиції DMN2992UFB4-7B за ціною від 2.01 грн до 15.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN2992UFB4-7B DMN2992UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2992UFB4.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 830mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15.6 pF @ 16 V
на замовлення 8382964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.80 грн
36+8.55 грн
100+5.28 грн
500+3.62 грн
1000+3.19 грн
2000+2.82 грн
5000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4-7B DMN2992UFB4-7B Виробник : Diodes Incorporated DMN2992UFB4.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN1006-3 T&R 10K
на замовлення 15375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+15.99 грн
34+9.63 грн
100+5.26 грн
500+3.81 грн
1000+2.98 грн
5000+2.56 грн
10000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4-7B DMN2992UFB4-7B Виробник : Diodes Zetex dmn2992ufb4.pdf 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2992UFB4-7B Виробник : DIODES INCORPORATED DMN2992UFB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 830mA; 1.02W; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 830mA
Power dissipation: 1.02W
Case: DFN1006-3
On-state resistance: 990mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 410pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.