Продукція > DIODES INC. > DMN29M9UFDF-7
DMN29M9UFDF-7

DMN29M9UFDF-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0013182183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN29M9UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11 A, 0.0104 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.20 грн
500+19.66 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN29M9UFDF-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMN29M9UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11 A, 0.0104 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm.

Інші пропозиції DMN29M9UFDF-7 за ціною від 16.17 грн до 51.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN29M9UFDF-7 DMN29M9UFDF-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013182183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN29M9UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11 A, 0.0104 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.61 грн
27+31.34 грн
100+24.20 грн
500+19.66 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN29M9UFDF-7 DIOD-S-A0013182183-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN29M9UFDF-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN29M9UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 11 A, 0.0104 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.61 грн
27+31.34 грн
100+24.20 грн
500+19.66 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.