Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3007LSSQ-13
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated

DMN3007LSSQ_Web.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.80 грн
5000+15.79 грн
7500+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN3007LSSQ-13 за ціною від 16.96 грн до 93.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005737254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.61 грн
500+20.25 грн
1000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3007LSSQ_Web.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.65 грн
10+43.50 грн
100+28.47 грн
500+20.65 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005737254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.55 грн
18+46.76 грн
100+30.61 грн
500+20.25 грн
1000+16.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3007LSSQ_Web.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.69 грн
10+57.88 грн
100+33.23 грн
500+25.82 грн
1000+24.99 грн
2500+20.35 грн
5000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3007LSSQ_Web.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.