Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3007LSSQ-13
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated

DMN3007LSSQ_Web.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.79 грн
5000+17.55 грн
7500+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMN3007LSSQ-13 за ціною від 16.73 грн до 85.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : DIODES INC. DMN3007LSSQ_Web.pdf Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.88 грн
500+23.51 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : DIODES INC. DMN3007LSSQ_Web.pdf Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.41 грн
20+46.33 грн
100+31.88 грн
500+23.51 грн
1000+19.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3007LSSQ_Web.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.66 грн
10+48.36 грн
100+31.65 грн
500+22.96 грн
1000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3007LSSQ_Web.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.91 грн
10+53.11 грн
100+30.26 грн
500+23.37 грн
1000+21.21 грн
2500+17.45 грн
5000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Виробник : Diodes Inc dmn3007lssq_web.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.