Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3007LSSQ-13
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated

DMN3007LSSQ_Web.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3007LSSQ-13 за ціною від 23.47 грн до 89.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated DMN3007LSSQ_Web.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.29 грн
10+53.66 грн
100+35.39 грн
500+25.85 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 DIODES INC. DMN3007LSSQ_Web.pdf Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 Diodes Incorporated DMN3007LSSQ_Web.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 DIODES INC. DMN3007LSSQ_Web.pdf Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ_Web.pdf
DMN3007LSSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.29 грн
10+53.66 грн
100+35.39 грн
500+25.85 грн
1000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ_Web.pdf
DMN3007LSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ_Web.pdf
DMN3007LSSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ_Web.pdf
DMN3007LSSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3007LSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.