DMN3008SCP10-7 Diodes Incorporated


DMN3008SCP10.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.86 грн
6000+25.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3008SCP10-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3008SCP10-7 за ціною від 33.18 грн до 33.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3008SCP10-7 Виробник : Diodes Zetex 19dmn3008scp10.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 10-Pin X4-DSN T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SCP10-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145055_1-2542601.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SCP10-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3008SCP10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7W; X4-DSN3015-10
Drain-source voltage: 30V
Case: X4-DSN3015-10
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.