| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 37.57 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3008SCP10-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3008SCP10-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN3008SCP10-7 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415Packaging: Tape & Reel (TR) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
| DMN3008SCP10-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN3008SCP10-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V
Description: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1476 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMN3008SCP10-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.