DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 18.19 грн |
| 4000+ | 16.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3008SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3008SFG-7 за ціною від 16.94 грн до 64.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3008SFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3008SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3008SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 4.6mOhm 10Vgs 17.6A |
на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3008SFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3008SFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3008SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V |
на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3008SFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 17.6A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMN3008SFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.4A; Idm: 150A; 1.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18.4A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMN3008SFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 18.4A; Idm: 150A; 1.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 18.4A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 1.3W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 86nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |