Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3008SFGQ-7
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7 Diodes Incorporated

DMN3008SFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3690 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 62A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+22.82 грн
4000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3008SFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3008SFGQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ-7 Diodes Incorporated DMN3008SFGQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ-7 DIODES INC. DMN3008SFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ-7 DIODES INC. DMN3008SFGQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ.pdf
DMN3008SFGQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ.pdf
DMN3008SFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-7 DMN3008SFGQ.pdf
DMN3008SFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3008SFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 0.0039 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.