Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3009LFV-7
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7 Diodes Incorporated

DMN3009LFV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+12.38 грн
4000+10.98 грн
6000+10.50 грн
10000+9.34 грн
14000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3009LFV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3009LFV-7 за ціною від 10.84 грн до 41.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3009LFV-7 DMN3009LFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0003383573_1-2542431.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.34 грн
12+29.64 грн
100+17.57 грн
500+13.84 грн
1000+12.81 грн
2000+10.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7 DMN3009LFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3009LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 28868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.97 грн
12+26.84 грн
100+18.27 грн
500+13.45 грн
1000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7 Виробник : Diodes Inc 108dmn3009lfv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3009LFV.pdf DMN3009LFV-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.