Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3009LFVW-7
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7 Diodes Incorporated

DMN3009LFVW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+16.71 грн
4000+15.88 грн
6000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3009LFVW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3009LFVW-7 за ціною від 14.66 грн до 63.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3009LFVW-7 DMN3009LFVW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145104_1-2542458.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.22 грн
10+37.22 грн
100+22.21 грн
500+17.63 грн
1000+16.04 грн
2000+14.73 грн
4000+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7 DMN3009LFVW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3009LFVW.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
на замовлення 9328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.58 грн
10+39.91 грн
100+26.71 грн
500+19.77 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7 DMN3009LFVW-7 Виробник : Diodes Inc 974dmn3009lfvw.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3009LFVW.pdf DMN3009LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.