DMN3009SFG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 19.78 грн |
| 6000+ | 18.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3009SFG-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN3009SFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3009SFG-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN3009SFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 80A Drain current: 13A Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 42nC On-state resistance: 9mΩ Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 1.4W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI3333-8 Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN3009SFG-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMN3009SFG-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 9mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 80A; 1.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 80A
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 9mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.