DMN3009SFG-7 Diodes Incorporated
на замовлення 4052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.62 грн |
| 10+ | 47.40 грн |
| 100+ | 28.48 грн |
| 500+ | 23.06 грн |
| 1000+ | 21.16 грн |
| 2000+ | 18.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3009SFG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3009SFG-7 за ціною від 29.61 грн до 66.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3009SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DMN3009SFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||
| DMN3009SFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMN3009SFG-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
DMN3009SFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |