на замовлення 257500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 15.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3009SSS-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3009SSS-13 за ціною від 13.09 грн до 65.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3009SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V |
на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3009SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 15 V |
на замовлення 130792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3009SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 4097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3009SSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN3009SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN3009SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 80A; 1.8W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |