Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3010LFG-13
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13 Diodes Incorporated

DMN3010LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.78 грн
10+38.25 грн
100+24.82 грн
500+19.55 грн
1000+15.12 грн
3000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3010LFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3010LFG-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3010LFG-13 DMN3010LFG-13 Diodes Incorporated DMN3010LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-13 DMN3010LFG.pdf
DMN3010LFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-13 DMN3010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 2.4W
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 90A
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 10.5mΩ
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.