Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3010LFG-7
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7 Diodes Incorporated

DMN3010LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+14.71 грн
6000+13.45 грн
10000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3010LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3010LFG-7 за ціною від 11.99 грн до 46.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3010LFG-7 DMN3010LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3010LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
на замовлення 23246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.97 грн
10+35.94 грн
100+24.97 грн
500+18.30 грн
1000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-7 DMN3010LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3010LFG.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.26 грн
10+38.75 грн
100+23.47 грн
500+18.24 грн
1000+14.86 грн
2000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf DMN3010LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.