на замовлення 777500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3010LK3-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3010LK3-13 за ціною від 12.98 грн до 66.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V |
на замовлення 780000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3010LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V |
на замовлення 780058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3010LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF |
на замовлення 4748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMN3010LK3-13 Код товару: 191700
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
DMN3010LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN3010LK3-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMN3010LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 2.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMN3010LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 10.5A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 2.4W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 37nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |