Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > DMN3010LK3-13

DMN3010LK3-13

DMN3010LK3.pdf
Код товару: 191700
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMN3010LK3-13 за ціною від 19.31 грн до 76.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 Diodes Zetex dmn3010lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 777500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 Diodes Incorporated DMN3010LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.54 грн
10+46.53 грн
100+30.44 грн
500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 Diodes Incorporated DMN3010LK3.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 DIODES INC. DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3-13 DIODES INC. DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 dmn3010lk3.pdf
DMN3010LK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 777500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3.pdf
DMN3010LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.54 грн
10+46.53 грн
100+30.44 грн
500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3.pdf
DMN3010LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.6W 2075pF
на замовлення 4748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3010LK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DIODS21520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3010LK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3010LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.