DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.03 грн |
| 10+ | 52.80 грн |
| 25+ | 44.34 грн |
| 50+ | 36.69 грн |
| 100+ | 32.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMN3010LSS-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3010LSS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMN3010LSS-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A
MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)