DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated


ds31259.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V
на замовлення 192500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.23 грн
5000+15.72 грн
7500+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3010LSS-13 за ціною від 16.32 грн до 79.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3010LSS-13 DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated ds31259.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V
на замовлення 194584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.29 грн
10+43.73 грн
100+29.85 грн
500+21.93 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LSS-13 DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated ds31259.pdf MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.01 грн
10+48.93 грн
100+27.92 грн
500+21.66 грн
1000+19.69 грн
2500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LSS-13 ds31259.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2096 pF @ 15 V
на замовлення 194584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.29 грн
10+43.73 грн
100+29.85 грн
500+21.93 грн
1000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LSS-13 ds31259.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.01 грн
10+48.93 грн
100+27.92 грн
500+21.66 грн
1000+19.69 грн
2500+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.