DMN3011LSSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.58W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.04 грн |
| 5000+ | 11.50 грн |
| 7500+ | 10.97 грн |
| 12500+ | 9.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3011LSSQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.58W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMN3011LSSQ-13 за ціною від 10.45 грн до 59.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3011LSSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|