DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated


DMN3012LEG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 2.2W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerLDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3012LEG-7 за ціною від 39.59 грн до 155.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3012LEG-7 DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated DMN3012LEG.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.72 грн
10+90.13 грн
100+70.10 грн
500+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3012LEG-7 DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated DMN3012LEG.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.07 грн
10+97.86 грн
100+58.79 грн
500+49.86 грн
1000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3012LEG-7 DMN3012LEG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.72 грн
10+90.13 грн
100+70.10 грн
500+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3012LEG-7 DMN3012LEG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+155.07 грн
10+97.86 грн
100+58.79 грн
500+49.86 грн
1000+39.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.