Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3012LEG-7
DMN3012LEG-7

DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated

DMN3012LEG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+50.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.2W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN3012LEG-7 за ціною від 41.44 грн до 171.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3012LEG-7 DMN3012LEG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3012LEG.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type D)
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.84 грн
10+90.22 грн
100+70.17 грн
500+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3012LEG-7 DMN3012LEG-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363640_1-2543098.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.69 грн
10+107.77 грн
100+66.77 грн
500+54.40 грн
1000+45.47 грн
2000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3012LEG-7 Виробник : Diodes Zetex dmn3012leg.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.