DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMN3015LSD-13 за ціною від 13.72 грн до 60.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3015LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3015LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 2545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3015LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A |
на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3015LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3015LSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMN3015LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.1nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMN3015LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 80A; 1W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.1nC |
товару немає в наявності |