Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3015LSD-13
DMN3015LSD-13

DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated

DMN3015LSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.77 грн
10+37.68 грн
100+24.54 грн
500+17.70 грн
1000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3015LSD-13 за ціною від 13.89 грн до 25.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3015LSD-13 DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated DMN3015LSD.pdf MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 DMN3015LSD-13 DIODES INC. DIODS21569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 DMN3015LSD-13 DIODES INC. DIODS21569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 Diodes Zetex DMN3015LSD.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+25.02 грн
33+23.20 грн
100+18.35 грн
250+16.90 грн
500+15.86 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 DMN3015LSD.pdf
DMN3015LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vgss 80A
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 DIODS21569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3015LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 DIODS21569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN3015LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3015LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.4 A, 8.4 A, 0.008 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.008ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.008ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 DMN3015LSD.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+25.02 грн
33+23.20 грн
100+18.35 грн
250+16.90 грн
500+15.86 грн
1000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.