DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.16 грн |
| 10+ | 37.82 грн |
| 100+ | 22.83 грн |
| 500+ | 17.60 грн |
| 1000+ | 15.92 грн |
| 2500+ | 12.85 грн |
| 5000+ | 12.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3015LSD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SO, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.2W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMN3015LSD-13 за ціною від 16.21 грн до 63.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3015LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SODrain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 1.2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta) |
на замовлення 1602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|