DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated


DMN3016LDN.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
на замовлення 162000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+13.44 грн
6000+12.28 грн
9000+11.40 грн
30000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.1W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Part Status: Active, Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V.

Інші пропозиції DMN3016LDN-7 за ціною від 10.69 грн до 42.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated DMN3016LDN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
на замовлення 163878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
10+32.84 грн
100+22.80 грн
500+16.71 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated DMN3016LDN.pdf MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.01 грн
10+35.83 грн
100+21.66 грн
500+16.95 грн
1000+13.71 грн
3000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
на замовлення 163878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+39.56 грн
10+32.84 грн
100+22.80 грн
500+16.71 грн
1000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.01 грн
10+35.83 грн
100+21.66 грн
500+16.95 грн
1000+13.71 грн
3000+10.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.