Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3016LDN-7
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated

DMN3016LDN.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.19 грн
6000+12.06 грн
9000+11.19 грн
30000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMN3016LDN-7 за ціною від 13.33 грн до 38.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated DMN3016LDN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active
на замовлення 163878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
10+32.23 грн
100+22.38 грн
500+16.40 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated DMN3016LDN.pdf MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN.pdf
DMN3016LDN-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active
на замовлення 163878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.83 грн
10+32.23 грн
100+22.38 грн
500+16.40 грн
1000+13.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN.pdf
DMN3016LDN-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF
на замовлення 3146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.