DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.87 грн |
| 6000+ | 12.68 грн |
| 9000+ | 11.77 грн |
| 30000+ | 10.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMN3016LDN-7 за ціною від 11.47 грн до 45.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3016LDN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J) Part Status: Active |
на замовлення 163878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3016LDN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 20Vgss 1.1W 1115pF |
на замовлення 3146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|