DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated


DMN3016LFDE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.66 грн
6000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 730mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3016LFDE-7 за ціною від 6.96 грн до 49.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated DMN3016LFDE.pdf MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.82 грн
13+25.23 грн
100+12.03 грн
1000+8.37 грн
3000+7.31 грн
9000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated DMN3016LFDE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.84 грн
11+29.94 грн
100+19.25 грн
500+13.72 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.82 грн
13+25.23 грн
100+12.03 грн
1000+8.37 грн
3000+7.31 грн
9000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 7977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.84 грн
11+29.94 грн
100+19.25 грн
500+13.72 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.