DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 730mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.55 грн |
| 10+ | 34.82 грн |
| 25+ | 29.07 грн |
| 50+ | 23.88 грн |
| 100+ | 21.01 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 730mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.
Інші пропозиції DMN3016LFDE-7 за ціною від 22.09 грн до 47.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3016LFDE-7 | Diodes Incorporated |
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm |
на замовлення 14605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
DMN3016LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 730mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
DMN3016LFDE-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 730mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm |
на замовлення 1305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| DMN3016LFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 1.3W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 25.1nC |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| DMN3016LFDE-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
MOSFET N-CHANNEL EH MODE 30V 10A 12mOhm
на замовлення 14605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN3016LFDE-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN3016LFDE-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
Description: DIODES INC. - DMN3016LFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 8000 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 730mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN3016LFDE-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 90A; 1.3W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 25.1nC
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 47.40 грн |
| 12+ | 36.06 грн |
| 14+ | 30.73 грн |
| 30+ | 22.09 грн |