Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3016LK3-13
DMN3016LK3-13

DMN3016LK3-13 Diodes Incorporated

DMN3016LK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.68 грн
5000+12.96 грн
7500+12.36 грн
12500+10.96 грн
17500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3016LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3016LK3-13 за ціною від 12.23 грн до 60.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3016LK3-13 DMN3016LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3016LK3.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC
на замовлення 3698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.88 грн
10+36.20 грн
100+21.89 грн
500+17.06 грн
1000+13.91 грн
2500+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LK3-13 DMN3016LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3016LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 26163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.19 грн
10+35.92 грн
100+23.28 грн
500+16.71 грн
1000+15.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3016LK3.pdf DMN3016LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.