Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3016LPS-13
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated

DMN3016LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3016LPS-13 за ціною від 10.30 грн до 36.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3016LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
12+26.06 грн
100+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3016LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.83 грн
12+26.52 грн
100+18.42 грн
500+13.49 грн
1000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3016LPS.pdf MOSFETs N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.74 грн
11+30.96 грн
100+18.91 грн
500+14.79 грн
1000+11.99 грн
2500+10.45 грн
10000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3016LPS.pdf DMN3016LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.