Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3016LPS-13
DMN3016LPS-13

DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated

DMN3016LPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3016LPS-13 за ціною від 9.85 грн до 35.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated DMN3016LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
12+25.90 грн
100+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated DMN3016LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
12+26.36 грн
100+18.31 грн
500+13.41 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated DMN3016LPS.pdf MOSFETs N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.12 грн
11+29.60 грн
100+18.07 грн
500+14.14 грн
1000+11.46 грн
2500+9.99 грн
10000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS.pdf
DMN3016LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.65 грн
12+25.90 грн
100+17.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS.pdf
DMN3016LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.18W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.65 грн
12+26.36 грн
100+18.31 грн
500+13.41 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS.pdf
DMN3016LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch 30V Enh FET 20Vgss 1.18W 1415pF
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.12 грн
11+29.60 грн
100+18.07 грн
500+14.14 грн
1000+11.46 грн
2500+9.99 грн
10000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.