Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3016LSS-13
DMN3016LSS-13

DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated

DMN3016LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.23 грн
5000+11.47 грн
7500+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMN3016LSS-13 за ціною від 11.10 грн до 55.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3016LSS-13 DMN3016LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3016LSS.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vdss 1.5W
на замовлення 6391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.06 грн
10+35.14 грн
100+21.21 грн
500+14.97 грн
1000+13.76 грн
2500+11.63 грн
5000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LSS-13 DMN3016LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMN3016LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 15 V
на замовлення 9178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.91 грн
10+35.39 грн
100+21.75 грн
500+16.42 грн
1000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LSS-13 DMN3016LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3016LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.