Продукція > DIODES INCORPORATED > DMN3018SFG-13
DMN3018SFG-13

DMN3018SFG-13 Diodes Incorporated

DMN3018SFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.55 грн
6000+7.14 грн
9000+7.01 грн
15000+6.53 грн
21000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3018SFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMN3018SFG-13 за ціною від 10.35 грн до 33.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMN3018SFG-13 DMN3018SFG-13 Diodes Incorporated DMN3018SFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.32 грн
14+21.57 грн
100+11.55 грн
500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-13 DMN3018SFG-13 Diodes Incorporated DMN3018SFG.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-13 DMN3018SFG.pdf
DMN3018SFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 697 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.32 грн
14+21.57 грн
100+11.55 грн
500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFG-13 DMN3018SFG.pdf
DMN3018SFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 25Vgss 1.0W 697pF
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.