DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
на замовлення 2358000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.27 грн |
| 6000+ | 8.47 грн |
| 9000+ | 7.87 грн |
| 30000+ | 7.21 грн |
| 75000+ | 7.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.03W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMN3020UFDF-7 за ціною від 7.54 грн до 29.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3020UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V |
на замовлення 2361446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3020UFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.03W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.03W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3020UFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 2956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN3020UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMN3020UFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; Idm: 40A; 1.3W Power dissipation: 1.3W Kind of package: reel; tape Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.3A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 27nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 40A |
товар відсутній |