DMN3020UFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.14 грн |
| 500+ | 19.50 грн |
| 1000+ | 13.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3020UFDF-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, Verlustleistung: 2.03W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm.
Інші пропозиції DMN3020UFDF-7 за ціною від 10.13 грн до 71.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3020UFDF-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 1125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMN3020UFDF-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 3084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMN3020UFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm |
на замовлення 3140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN3020UFDF-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.68 грн |
| 12+ | 27.66 грн |
| 100+ | 17.73 грн |
| 500+ | 12.63 грн |
| 1000+ | 11.33 грн |
| DMN3020UFDF-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.11 грн |
| 10+ | 37.53 грн |
| 100+ | 28.27 грн |
| 500+ | 18.00 грн |
| 1000+ | 13.71 грн |
| 3000+ | 10.13 грн |
| DMN3020UFDF-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 71.30 грн |
| 18+ | 47.34 грн |
| 100+ | 28.14 грн |
| 500+ | 19.50 грн |
| 1000+ | 13.64 грн |