DMN3020UFDF-7

DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated


DMN3020UFDF.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.03W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMN3020UFDF-7 за ціною від 9.05 грн до 50.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3020UFDF-7 DMN3020UFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN3020UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.74 грн
500+12.87 грн
1000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7 DMN3020UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009865624_1-2543532.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.93 грн
13+26.90 грн
100+16.26 грн
500+12.73 грн
1000+10.30 грн
3000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7 DMN3020UFDF-7 Виробник : DIODES INC. DMN3020UFDF.pdf Description: DIODES INC. - DMN3020UFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.016 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.03W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.06 грн
32+26.08 грн
100+17.74 грн
500+12.87 грн
1000+9.05 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7 DMN3020UFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3020UFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.03W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.14 грн
11+29.73 грн
100+19.09 грн
500+13.60 грн
1000+12.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.