DMN3020UTS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.25 грн |
| 5000+ | 10.80 грн |
| 7500+ | 10.69 грн |
| 12500+ | 9.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3020UTS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3020UTS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.015 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 850mW, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN3020UTS-13 за ціною від 10.95 грн до 59.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3020UTS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3020UTS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.015 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3020UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1304 pF @ 15 V |
на замовлення 18825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3020UTS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3020UTS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.015 ohm, TSSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 850mW Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMN3020UTS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMN3020UTS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4W; TSSOP8 Drain-source voltage: 30V Case: TSSOP8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 1.4W Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Gate charge: 15nC |
товару немає в наявності |