DMN3023L-7

DMN3023L-7 Diodes Inc


103dmn3023l.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3023L-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMN3023L-7 за ціною від 4.37 грн до 36.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3023L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 10265050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.82 грн
6000+5.54 грн
9000+5.47 грн
15000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 543000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.19 грн
6000+5.93 грн
15000+5.49 грн
30000+5.04 грн
75000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+6.31 грн
97+6.26 грн
98+6.19 грн
100+5.91 грн
250+5.42 грн
500+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1740000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.58 грн
6000+6.31 грн
15000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 543000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.66 грн
6000+6.39 грн
15000+5.91 грн
30000+5.43 грн
75000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.37 грн
6000+7.65 грн
12000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : DIODES INC. 2814401.pdf Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.77 грн
500+11.06 грн
1000+7.67 грн
3000+6.58 грн
6000+6.14 грн
12000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.39 грн
24+16.24 грн
50+11.82 грн
100+10.30 грн
129+6.94 грн
355+6.56 грн
1000+6.48 грн
3000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : DIODES INC. 2814401.pdf Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.02 грн
32+25.79 грн
100+15.77 грн
500+11.06 грн
1000+7.67 грн
3000+6.58 грн
6000+6.14 грн
12000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3023L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 10265316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.26 грн
16+19.83 грн
100+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3023L.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
на замовлення 95266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.31 грн
18+19.79 грн
100+7.69 грн
1000+7.25 грн
3000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.47 грн
15+20.24 грн
50+14.19 грн
100+12.35 грн
129+8.33 грн
355+7.87 грн
1000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.