DMN3023L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 5972500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.30 грн |
| 6000+ | 6.39 грн |
| 9000+ | 6.07 грн |
| 15000+ | 5.35 грн |
| 21000+ | 5.15 грн |
| 30000+ | 4.95 грн |
| 75000+ | 4.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3023L-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN3023L-7 за ціною від 5.42 грн до 40.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 269306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 269306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3023L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 0.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 6189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V |
на замовлення 5972592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A |
на замовлення 47810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 0.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6189 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMN3023L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |