Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3023L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Інші пропозиції DMN3023L-7 за ціною від 7.21 грн до 55.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMN3023L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V |
на замовлення 207000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Version: ESD Drain current: 5.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23 On-state resistance: 28mΩ |
на замовлення 7829 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V |
на замовлення 208397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A |
на замовлення 79662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 9498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 94 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 900mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 900mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 9498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.95 грн |
| 9000+ | 8.29 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| 9000+ | 11.71 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| 9000+ | 11.71 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| 9000+ | 11.71 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| 9000+ | 11.71 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.95 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.54 грн |
| 9000+ | 11.71 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.83 грн |
| 9000+ | 11.99 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.84 грн |
| 9000+ | 12.00 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 28mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 28mΩ
на замовлення 7829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 38.37 грн |
| 15+ | 29.18 грн |
| 18+ | 24.60 грн |
| 25+ | 18.24 грн |
| 50+ | 14.17 грн |
| 100+ | 11.45 грн |
| 500+ | 8.23 грн |
| 1000+ | 7.72 грн |
| 3000+ | 7.21 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 208397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.40 грн |
| 12+ | 26.34 грн |
| 25+ | 21.87 грн |
| 50+ | 17.91 грн |
| 100+ | 15.72 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 55.63 грн |
| 23+ | 34.27 грн |
| 25+ | 30.89 грн |
| 50+ | 26.00 грн |
| 100+ | 13.30 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
на замовлення 79662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 9498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 9498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






