Продукція > DIODES INC > DMN3023L-7
DMN3023L-7

DMN3023L-7 Diodes Inc

103dmn3023l.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN3023L-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 900mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMN3023L-7 за ціною від 5.13 грн до 40.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3023L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 10353000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.65 грн
6000+6.21 грн
9000+6.02 грн
15000+5.39 грн
21000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.26 грн
6000+7.09 грн
9000+6.59 грн
15000+6.29 грн
21000+5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.43 грн
6000+7.25 грн
9000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.78 грн
6000+7.59 грн
9000+7.06 грн
15000+6.74 грн
21000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.96 грн
6000+7.77 грн
9000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 269306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1246+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 1246
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 269306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
865+10.64 грн
3000+7.28 грн
6000+7.10 грн
9000+6.37 грн
15000+5.83 грн
21000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 865
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : DIODES INC. 2814401.pdf Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 900mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.22 грн
500+10.18 грн
1500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94DB7D02698BF&compId=DMN3023L.pdf?ci_sign=4cecbfc42c6179a99a781b626d4b95877d0c15ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.41 грн
18+22.11 грн
23+17.82 грн
50+11.14 грн
100+9.39 грн
130+7.24 грн
358+6.84 грн
1000+6.68 грн
1500+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3023L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 10353525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.35 грн
19+17.34 грн
100+9.53 грн
500+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN3023L.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
на замовлення 47810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.31 грн
19+18.79 грн
100+9.01 грн
500+8.63 грн
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C94DB7D02698BF&compId=DMN3023L.pdf?ci_sign=4cecbfc42c6179a99a781b626d4b95877d0c15ab Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.09 грн
11+27.56 грн
14+21.38 грн
50+13.36 грн
100+11.26 грн
130+8.69 грн
358+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : DIODES INC. 2814401.pdf Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.95 грн
50+21.16 грн
100+11.22 грн
500+10.18 грн
1500+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 Виробник : Diodes Zetex 103dmn3023l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.