| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.69 грн |
| 6000+ | 8.31 грн |
| 9000+ | 8.20 грн |
| 15000+ | 7.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3023L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 900mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMN3023L-7 за ціною від 6.08 грн до 41.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V |
на замовлення 1490000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A |
на замовлення 74643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 0.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 512 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMN3023L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V |
на замовлення 1490374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMN3023L-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 235 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3023L-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.69 грн |
| 6000+ | 8.31 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.69 грн |
| 6000+ | 8.31 грн |
| 9000+ | 8.20 грн |
| 15000+ | 7.35 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.69 грн |
| 6000+ | 8.31 грн |
| 9000+ | 8.20 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.69 грн |
| 6000+ | 8.31 грн |
| 9000+ | 8.20 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.87 грн |
| 6000+ | 8.79 грн |
| 9000+ | 8.69 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.88 грн |
| 6000+ | 8.80 грн |
| 9000+ | 8.70 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 1490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.92 грн |
| 6000+ | 7.82 грн |
| 9000+ | 7.43 грн |
| 15000+ | 6.56 грн |
| 21000+ | 6.31 грн |
| 30000+ | 6.08 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 235+ | 14.15 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss 51A
на замовлення 74643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.80 грн |
| 17+ | 19.75 грн |
| 100+ | 12.64 грн |
| 500+ | 9.43 грн |
| 1000+ | 8.66 грн |
| 3000+ | 6.98 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 512 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 38.02 грн |
| 15+ | 28.91 грн |
| 18+ | 24.38 грн |
| 25+ | 18.07 грн |
| 50+ | 14.04 грн |
| 100+ | 11.35 грн |
| 500+ | 8.15 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 1490374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.28 грн |
| 13+ | 23.60 грн |
| 100+ | 15.01 грн |
| 500+ | 10.61 грн |
| 1000+ | 9.49 грн |
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMN3023L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMN3023L-7 - MOSFET, N-KANAL, 30V, 6.2A, SOT23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.30 грн |
| 50+ | 22.65 грн |
| 100+ | 14.09 грн |
| 500+ | 10.59 грн |
| 1500+ | 9.15 грн |





