на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 12.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMN3024LK3-13 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.1W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMN3024LK3-13 за ціною від 10.91 грн до 55.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMN3024LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN3024LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN3024LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.78A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V |
на замовлення 75846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
DMN3024LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL |
на замовлення 3207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
DMN3024LK3-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| DMN3024LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9.78A; Idm: 46.5A; 2.17W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 9.78A Pulsed drain current: 46.5A Power dissipation: 2.17W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.9nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|